Выращивание огурцов в траншеях
Чтобы получить раннюю продукцию, возможно использование траншейного способа выращивания огурца. В осенний период выкапывается траншея в глубину 30-40 см, в ширину 70-80 см. Земля холмиком складывается на северной стороне. Дно траншеи выкладывается перегноем (его слой примерно 20 см), после - рыхлыми материалами: опилками, соломой, чтоб почва не промерзла зимой. В конце зимы — начале весны траншею чистят от снега и утепляющих материалов. Поперек раскладываются палки из дерева, расстилается пленка, закрепленная на бруски с севера и засыпанная землей. Так формируется наклонная плоскость, которая позволяет хорошо прогреться почве в траншее. Когда грунт прогревается до 14-15 °С, вдоль траншей высеваются семена огурцов на расстоянии 5-6 см. Если погода теплая, пленка скручивается днем, а с наступлением постоянного тепла снимается полностью. В дальнейшем проводится такой же уход, как в открытой почве. Этот метод дает возможность получать плоды огурцов на 30-40 дней раньше, чем при обыкновенном культивировании в открытой почве.
